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三星演示3nm MBCFET芯片:用纳米芯片结构制作晶体管

发布时间:2021-04-02 20:01:25

来源:金华热线

ITHouse,3月13日?三星电子(SamsungElectronics)和台积电(TSMC)目前正计划进行3nm工艺研究和开发。据外国媒体剪贴器报道,三星工程师分享了即将在ISSCC举行的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上3nmgaembcfet芯片的制造细节。

Gaafet晶体管(栅全环场效应晶体管)有两种结构形式,目前是FinFET的升级版本。三星表示,传统的Gaafet工艺使用三层纳米线来制造晶体管,栅很薄,而三星MBcfet使用纳米芯片来制造晶体管,三星已经注册了MBcfet商标。三星表示,这两种方法都可以达到3nm,但取决于设计。

第一种Gaafet晶体管的概念早在1988年就提出了,这种技术允许设计者通过调整晶体管通道的宽度来精确地控制性能和功耗。更宽的材料便于在高功率下获得更高的性能,而较薄的材料可以降低功耗,但性能受到影响。

众议院了解到,三星在2019年展示了3gae工艺的原理。三星表示,与7lpp技术相比,3gae可以提高30%的性能,降低50%的功率,并将晶体管密度提高80%。

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